-
1 полевой триод
полевой триод
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полевой триод
-
2 полевой триод
Electrical engineering: field-control triode, field-effect triode -
3 триод
* * *трио́д м.
triodeгенера́торный трио́д — transmitting triodeдвойно́й трио́д — twin [double] triode, duo-triodeио́нный трио́д — gas-filled triodeкана́льный трио́д — field-effect transistorмаячко́вый трио́д — lighthouse triodeодноцо́кольный трио́д — single-end triodeполево́й трио́д — field effect transistorполупроводнико́вый трио́д — transistorполупроводнико́вый, плоскостно́й трио́д — junction transistorполупроводнико́вый, то́чечный трио́д — point-contact transistorполупроводнико́вый, четырёхсло́йный трио́д — four-layer transistorтунне́льный трио́д — tunnel transistorусили́тельный трио́д — amplifier [amplifying] triode -
4 транзистор
crystal triode, semiconductor triode* * *транзи́стор м.
transistorбыть вы́полненным по́лностью на транзи́сторах — be fully transistorizedвключа́ть транзи́стор по схе́ме, напр. с о́бщей ба́зой — connect a transistor in, e. g., a common-base [grounded-base] circuitзапира́ть транзи́стор — drive a transistor to cut-off, cut off [turn off] a transistorиспо́льзовать транзи́стор в акти́вном режи́ме [в акти́вной о́бласти] — bring a transistor into its active regionтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме насыще́ния [в о́бласти насыще́ния] — the transistor is at saturationтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме обедне́ния — the transistor operates in the depletion modeтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме отсе́чки [в о́бласти отсе́чки] — the transistor is [operating] at cut-offотпере́ть транзи́стор — render a transistor conductive, turn on a transistorанало́говый транзи́стор — analog transistorтранзи́стор бегу́щей волны́ — travelling-wave transistorбездре́йфовый транзи́стор — diffusion transistorбиполя́рный транзи́стор — bipolar transistorбу́синковый транзи́стор — bead transistorва́куумно-осаждё́нный транзи́стор — vacuum deposited transistorвы́ращенный транзи́стор — grown(-junction) transistorвысокочасто́тный транзи́стор — high-frequency transistorгерма́ниевый транзи́стор — germanium transistorтранзи́стор двойно́го леги́рования — double-doped transistorдвухба́зовый транзи́стор — double-base transistorдвухколле́кторный транзи́стор — double-collector transistorдвухэми́ттерный транзи́стор — double-emitter transistorдискре́тный транзи́стор — discrete transistorдиффузио́нный транзи́стор ( изгоговленный по диффузионной технологии) — diffused transistor (не путать с бездре́йфовым транзи́стором diffusion transistor, где diffusion указывает на характер движения носителей)транзи́стор для логи́ческой схе́мы — logic transistorтранзи́стор для переключа́тельных схем — switching(-type) transistorдре́йфовый транзи́стор — drift transistorизоли́рованный транзи́стор ( в монолитной интегральной схеме) — isolated transistorинтегра́льный транзи́стор — integrated transistorкана́льный транзи́стор — field-effect [unipolar] transistorконверсио́нный транзи́стор — post-alloy diffused transistorкре́мниевый транзи́стор — silicon transistorлави́нный транзи́стор — avalanche transistorтранзи́стор, леги́рованный зо́лотом — gold-doped transistorМДП-транзи́стор — insulated-gate field-effect transistor, IGFETМДП-транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel insulated-gate field-effect transistor, induced-channel IGFETМДП-транзи́стор с проводя́щим кана́лом — conductive-channel insulated-gate field-effect transistor, conductive-channel IGFETме́за-транзи́стор — mesa transistorмикросплавно́й транзи́стор — microalloy transistorтранзи́стор микросхе́мы — transistor microelementМОП-транзи́стор — metal-oxide-semiconductor transistor, MOS-transistor, MOSFETМОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обедне́ния — depletion-mode metal-oxide-semiconductor transistor, depletion-mode MOS-transistor, depletion-mode MOSFETМОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обогаще́ния — enhancement-mode metal-oxide-semiconductor transistor, enhancement-mode MOS-transistor, enhancement-mode MOSFETмо́щный транзи́стор — power transistorтранзи́стор на криста́ллике — chip transistorнапылё́нный транзи́стор — evaporated transistorобратнодиффу́зный транзи́стор — outdiffused transistorобратнопла́вленный транзи́стор — meltback transistorобращё́нный транзи́стор — inverce transistorоднокра́тно диффу́зионный транзи́стор — single-diffused transistorодноперехо́дный транзи́стор — unijunction transistorоптикоэлектро́нный транзи́стор — electrooptical transistor, optotransistorплана́рный транзи́стор — planar transistorплоскостно́й транзи́стор — junction transistorпове́рхностно-барье́рный транзи́стор — surface-barrier transistorпове́рхностно-сплавно́й транзи́стор — surface-alloy transistorполево́й транзи́стор — field-effect transistor, FETзапере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate off a FETотпере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate on a FETполево́й транзи́стор с двумя́ затво́рами — double-gate field-effect transistor, double-gate FETполево́й транзи́стор с затво́ром на гетероперехо́де — heterojunction-gate field-effect transistor, heterojunction-gate FETполево́й транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — insulated-gate field-effect transistor, IGFETполево́й транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel field-effect transistor, induced-channel FETпролё́тный транзи́стор — transit-time transistorсверхминиатю́рный транзи́стор — subminiature transistorСВЧ транзи́стор — microwave transistorтранзи́стор с гетероперехо́дом — heterojunction transistorтранзи́стор с инже́кцией носи́телей — injection-type transistorсплавно́й транзи́стор — alloy transistorтранзи́стор с пла́вным перехо́дом — graded-junction transistorтранзи́стор с ре́зкими перехо́дами — abrupt-junction transistorтранзи́стор с эми́ттером встре́чно-штырево́й констру́кции — interdigitated transistor, ITтранзи́стор с эми́ттером гребе́нчатого ти́па — interdigitated transistor, ITтранзи́стор табле́точного ти́па — tab transistorтранзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-ти́па — p -n -p -transistorтранзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-n [m2]-ти́па — p -n -p -n -transistorтолстоплё́ночный транзи́стор — thick-film transistorтонкоплё́ночный транзи́стор — thin-film transistorто́чечный транзи́стор — point(-contact) transistorтунне́льный транзи́стор — tunnel transistorтя́нутый транзи́стор — grown-junction transistorуниполя́рный транзи́стор — unipolar [field-effect] transistorуправля́ющий транзи́стор — control transistorчетырёхсло́йный транзи́стор — four-layer transistorчетырёхэлектро́дный транзи́стор — four-electrode transistorэпитаксиа́льный транзи́стор — epitaxial transistor -
5 триод
м. triodeполупроводниковый триод; транзистор — crystal triode
-
6 полупроводниковый полевой транзистор
Engineering: triode field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > полупроводниковый полевой транзистор
См. также в других словарях:
Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… … Wikipedia
Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Crossed-field amplifier — A crossed field amplifier (CFA) is a specialized vacuum tube, first introduced in the mid 1950s and frequently used as a microwave amplifier in very high power transmitters. Raytheon engineer William C. Brown s work to adapt magnetron principles… … Wikipedia
Pockels effect — The Pockels effect, or Pockels electro optic effect, produces birefringence in an optical medium induced by a constant or varying electric field. It is distinguished from the Kerr effect by the fact that the birefringence is proportional to the… … Wikipedia
полевой триод — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN field control triodefield effect triode … Справочник технического переводчика
Vacuum tube — This article is about the electronic device. For experiments in an evacuated pipe, see free fall. For the transport system, see pneumatic tube. Modern vacuum tubes, mostly miniature style In electronics, a vacuum tube, electron tube (in North… … Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
History of the transistor — Invention of the transistor= The first patent [patent|US|1745175|Julius Edgar Lilienfeld: Method and apparatus for controlling electric current first filed in Canada on 22.10.1925, describing a device similar to a MESFET] for the field effect… … Wikipedia
Semiconductor device — Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most … Wikipedia
Pentagrid converter — For other types of frequency converters please, see Frequency converter. The pentagrid converter is a radio receiving valve (vacuum tube) with five grids used as the frequency mixer stage of a superheterodyne radio receiver. Grids of a 12SA7GT… … Wikipedia
Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia
